- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/792 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
Détention brevets de la classe H01L 29/792
Brevets de cette classe: 3394
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Kioxia Corporation | 9847 |
369 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
363 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
276 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
247 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
193 |
Renesas Electronics Corporation | 6305 |
182 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
160 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
158 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
117 |
Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 297 |
93 |
United Microelectronics Corp. | 3921 |
64 |
Spansion LLC | 437 |
53 |
Infineon Technologies LLC | 597 |
53 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
46 |
Monolithic 3D Inc. | 270 |
42 |
Sunrise Memory Corporation | 192 |
41 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
36 |
Floadia Corporation | 75 |
34 |
Kabushiki Kaisha Toshiba, doing business as Toshiba Corporation | 6275 |
33 |
SPANSION Japan Limited | 113 |
28 |
Autres propriétaires | 806 |